Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFA3N120

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXFA3N120

IXFA3N120 Hakkında

IXFA3N120, Littelfuse tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim dayanımı ve 3A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında etkin bir çözüm sağlar. 4.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlarken, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sunar. Threshould gerilimi 5V olup, 10V kapı kontrol gerilimi ile uyumlu tasarımlarında rahatlıkla entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (IXFA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok