Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IXFA10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO263

Üretici
Littelfuse
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IXFA10N80P

IXFA10N80P Hakkında

IXFA10N80P, Littelfuse tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET'tir. TO-263 paketinde sunulan bu transistör, 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) işletim yapabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanıldığından, endüstriyel güç dönüştürücüler, LED sürücüler ve switch-mode güç kaynakları gibi sistemlerde tercih edilir. 40nC gate charge ve 2050pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (IXFA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok