Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IXCY01N90E
MOSFET N-CH 900V 250MA TO252
- Üretici
- Littelfuse
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IXCY01N90E
IXCY01N90E Hakkında
IXCY01N90E, Littelfuse tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. 250mA sürekli drain akımı ve 80Ω (10V, 50mA) on-resistance değerleriyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde yer almaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IXCY01N90E, 40W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle orta güçlü anahtarlama uygulamaları için uygundur. 7.5nC gate charge ve 133pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 133 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80Ohm @ 50mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok