Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
- Üretici
- —
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IV1Q12160T4
IV1Q12160T4 Hakkında
IV1Q12160T4, 1200V voltaj sınıfında çalışan N-Channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 20A sürekli drenaj akımı ve 195mΩ maksimum Ron değeri ile yüksek verimli güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 43nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C arasında) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, özellikle inverter, konvertör ve motor sürücü devrelerde tercih edilir. SiC teknolojisi düşük kapasitans ve düşük kayıplar nedeniyle verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 885 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 138W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.9V @ 1.9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok