Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IV1Q12050T3
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
- Üretici
- —
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IV1Q12050T3
IV1Q12050T3 Hakkında
IV1Q12050T3, 1200V/50mOhm özellikleriyle tasarlanmış bir N-Channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 58A sürekli drenaj akımı ve 327W güç yayılım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 120nC @ 20V olup, 3.2V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Elektrik güç dönüştürme sistemleri, invertörler, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2770 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 327W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok