Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISZ230N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISZ230N10NM6ATMA1
ISZ230N10NM6ATMA1 Hakkında
ISZ230N10NM6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 7.7A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 31A (Tc) kapasitesine sahiptir. 23mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PG-TSDSON-8 Surface Mount paketinde sunulan ISZ230N10NM6ATMA1, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 48W güç disipasyonuna (Tc) dayanabilir. Güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, hızlı anahtarlama performansı ve düşük kapasitans değerleriyle öne çıkmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta), 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok