Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISZ080N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISZ080N10NM6ATMA1
ISZ080N10NM6ATMA1 Hakkında
ISZ080N10NM6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, yüksek anahtarlama hızı ve düşük on-direnç özellikleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 13A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ve 75A kapasite (Tc) ile DC-DC konvertörleri, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 8.04mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface Mount 8-PowerTDFN paket tipi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.04mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok