Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISZ0804NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISZ0804NLS
ISZ0804NLSATMA1 Hakkında
ISZ0804NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarından orta seviye güç yönetimi uygulamalarına kadar geniş bir yelpazede kullanılabilir. 11.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Surface mount PG-TSDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır ve güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC converterlerde yaygın olarak uygulanır. Düşük gate charge karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama hızına ve düşük sürücü kayıplarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-26 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 28µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok