Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISZ0803NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISZ0803
ISZ0803NLSATMA1 Hakkında
ISZ0803NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, 7.7A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 37A (Tc) kapasitesine sahiptir. 16.9mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount PG-TSDSON-8 paketinde sunulan ISZ0803, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 43W güç dağıtımı (Tc) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta), 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-26 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 18µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok