Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISZ0703NLSATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TSDSON-8

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
ISZ0703NLS

ISZ0703NLSATMA1 Hakkında

ISZ0703NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu komponent, Trench teknolojisi ile düşük on-resistance (7.3mOhm @ 20A, 10V) sunar. PG-TSDSON-8 yüzey montaj paketinde sunulan ISZ0703NLS, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V Vgs aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında dayanıklı performans gösterir. 44W çıkış gücü (Tc) ve düşük kapasitans değerleri ile enerji verimliliği gerektiren tasarımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-25
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 15µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok