Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISZ065N03L5SATMA1

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
ISZ065N03L5SA

ISZ065N03L5SATMA1 Hakkında

ISZ065N03L5SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışan bu komponent, 25°C'de 12A sürekli akım ve 40A (ısıl durumda) taşıyabilir. 6.5mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerTDFN (TSDSON-8) yüzey monte paketinde sunulan ISZ065N03L5SATMA1, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalara uygunluğunu gösterir. Düşük gate charge (10nC) ve input capacitance (670pF) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok