Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISZ0602NLSATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISZ0602NLS
ISZ0602NLSATMA1 Hakkında
ISZ0602NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli drenaj akımı (Ta 25°C) kapasitesiyle sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 7.8mOhm maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Trench teknolojisiyle üretilen ISZ0602NLSATMA1, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve surface mount PG-TSDSON-8 paketinde sunulur. Hızlı anahtarlama, düşük kapasitans ve stabil threshold voltajı ile motor kontrol, DC-DC konverter ve güç dağıtım sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1860 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-26 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 29µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok