Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISZ034N06LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISZ034N06LM5AT
ISZ034N06LM5ATMA1 Hakkında
ISZ034N06LM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.4mΩ maksimum on-direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Trench teknolojisi sayesinde kompakt tasarımda yüksek akım kapasitesi sunmaktadır. PG-TSDSON-8 yüzey montajlı pakette gelen komponent, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 112A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-26 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok