Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISZ019N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISZ019N03L5SA
ISZ019N03L5SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISZ019N03L5SATMA1, 30V drain-source gerilimi ve 22A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drenaj akımı özelliklerine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Düşük RDS(on) değeri (1.9mΩ @ 20A, 10V) ve 44nC gate charge ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 8-PowerTDFN paket tipi ile surface mount tasarımlar için optimize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır. Güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücü, pil yönetim sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok