Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IST026N10NM5AUMA1
TRENCH >=100V PG-HSOF-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 5-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IST026N10NM5AUMA1
IST026N10NM5AUMA1 Hakkında
IST026N10NM5AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 27A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (2.6mOhm @ 100A, 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanmış olan cihaz, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. PG-HSOF-5 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 125nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 248A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6300 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 5-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-5-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 148µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok