Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IST019N08NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 5-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IST019N08NM5
IST019N08NM5AUMA1 Hakkında
IST019N08NM5AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source voltajı ve 32A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Trench teknolojisi ile üretilmiş bu bileşen, motorlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve PG-HSOF-5 yüzey montajlı paket ile sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 290A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 5-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-5-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 148µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok