Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IST011N06NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 5-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IST011N06NM5
IST011N06NM5AUMA1 Hakkında
IST011N06NM5AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 38A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Trench teknolojisi ile üretilen bu komponent, 1.1mOhm'luk düşük on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arasında güvenli işlem görür. PG-HSOF-5 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 399A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 5-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-5-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 148µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok