Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISS55EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISS55EP06LMXTSA1
ISS55EP06LMXTSA1 Hakkında
ISS55EP06LMXTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 180mA sürekli dren akımı ile küçük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 5.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Güç yönetimi, akü şarj kontrolü, backlighting uygulamaları ve analog anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5Ohm @ 180mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23-3-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok