Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISS17EP06LMXTSA1
ISS17EP06LMXTSA1 Hakkında
ISS17EP06LMXTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim desteği ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve doğrultma işlevleri gerçekleştirir. 300mA sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.7Ω maksimum on-direnci ile verimli performans sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. Düşük gate charge değeri (1.79nC @ 10V) hızlı anahtarlama özelliği ile kontrol devrelerinde, LED sürücülerinde, pil yönetim sistemlerinde ve hobi elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.79 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 55 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 34µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok