Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP75DP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP75DP06
ISP75DP06LMXTSA1 Hakkında
ISP75DP06LMXTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 750mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT223-4 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 4nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç kaynakları, LED sürücüleri, endüstriyel kontrol devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 77µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok