Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP650P06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP650P06NMXTSA1
ISP650P06NMXTSA1 Hakkında
ISP650P06NMXTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 3.7A sürekli drenaj akımı özelliğiyle tasarlanmıştır. 65 mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge 39 nC ve 1600 pF input kapasitansi değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Güç yönetimi, motor kontrol, batarya uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 1.8W (Ta) ve 4.2W (Tc) maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.037mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok