Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP26DP06NMSATMA1
MOSFET P-CH 60V SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP26DP06NMS
ISP26DP06NMSATMA1 Hakkında
ISP26DP06NMSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 1.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. SOT223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sağlanan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve elektronik kontrol sistemlerinde kullanılır. Metal Oksit (MOSFET) teknolojisine dayalı tasarımı, düşük açılış direnci ve hızlı anahtarlama performansı sunarak güç tüketiminin azaltılmasına katkı sağlar. Endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronik ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok