Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP25DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP25DP06NM
ISP25DP06NMXTSA1 Hakkında
ISP25DP06NMXTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. SOT223-4 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sağlar. Güç yönetimi, yazılım kontrol edilen anahtarlar, yükleme kontrol devreleri ve DC-DC konvertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilimi, 10.8nC gate charge ve düşük input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok