Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP25DP06LMSATMA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP25DP06LMS
ISP25DP06LMSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISP25DP06LMSATMA1, P-kanal MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli drenaj akımına sahiptir. 250mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. SOT223 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için idealdir. 1.8W (Ta) ve 5W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok