Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP16DP10LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP16DP10LMXTSA1
ISP16DP10LMXTSA1 Hakkında
ISP16DP10LMXTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel küçük sinyal MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 2.1A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-261-4 (PG-SOT223-4) SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük on-direnç (160mOhm) ve hızlı anahtarlama özelliği ile ses amplifikatörleri, güç yönetim devreleri, motor kontrolü ve elektronik anahtarlamaya gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 5W güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta), 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1.037mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok