Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP14EP15LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP14EP15
ISP14EP15LMXTSA1 Hakkında
ISP14EP15LMXTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. PG-SOT223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, küçük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 150V drain-source gerilimi ve 770mA (Ta) / 1.29A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile elektronik kontrol devreleri, enerji yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 1.38Ω maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 770mA (Ta), 1.29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.38Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok