Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP13DP06NMSATMA1
MOSFET P-CH 60V SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP13DP06NMS
ISP13DP06NMSATMA1 Hakkında
ISP13DP06NMSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 25°C'de 2.8A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. SOT223 (TO-261-4) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Metal oksit (MOSFET) teknolojisine dayanan bu P-kanal transistör, düşük güç tüketimli sistemlerde anahtarlama kontrolü için uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok