Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISP12DP06NM
ISP12DP06NMXTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISP12DP06NMXTSA1, P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi, 2.8A sürekli dren akımı ve 125mOhm maksimum on-state direnci ile karakterize edilir. 10V gate sürüş geriliminde çalışır. SOT223-4 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge (20.2nC) ve düşük giriş kapasitanası (790pF) özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmasını sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 520µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok