Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N7030BLS3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N7030BLS3ST
ISL9N7030BLS3ST Hakkında
ISL9N7030BLS3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET olup, 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 75A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-263AB paketinde sunulan bu bileşen, düşük 9mΩ RDS(on) değeri ile yüksek akım uygulamalarında verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 68nC gate charge ve 2600pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok