Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISL9N327AD3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ISL9N327A

ISL9N327AD3ST Hakkında

ISL9N327AD3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 27mΩ'luk düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) paketinde gelen bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama regülatörleri ve tüketici elektronikleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3 (DPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok