Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N322AS3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N322AS3ST
ISL9N322AS3ST Hakkında
ISL9N322AS3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 22mOhm maksimum on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, load switch devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 27nC gate charge ile hızlı sürülebilir ve 50W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Cihazın obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 970 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok