Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISL9N322AP3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
ISL9N322AP3

ISL9N322AP3 Hakkında

ISL9N322AP3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 22mΩ on-state direnci (10V, 35A) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 50W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Ürün güncel üretimde bulunmamakta (obsolete) olup arşiv ve onarım uygulamalarında tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 970 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok