Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N315AD3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N315AD3ST
ISL9N315AD3ST Hakkında
ISL9N315AD3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile 30V Vdss derecelendirilmiştir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, düşük 15mΩ RDS(on) değeri sayesinde düşük ısı kayıpları ile çalışır. Geniş -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ve 55W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ve 28nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok