Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N312AD3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N312AD3ST
ISL9N312AD3ST Hakkında
ISL9N312AD3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 12mΩ on-resistance (RDS(on)) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü ve PWM uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 75W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 38nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok