Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISL9N310AS3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
ISL9N310AS3ST

ISL9N310AS3ST Hakkında

ISL9N310AS3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V Drain-Source voltajında 62A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10Ω @ 62A, 10V) ile verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakete sahip olan komponent, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ISL9N310AS3ST, 70W güç tüketimine kadar tasarlanmıştır. 48nC maksimum gate charge ve 1800pF input kapasitans özellikleri hızlı anahtarlama operasyonlarına olanak sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 62A, 10A
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok