Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISL9N310AD3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
ISL9N310AD3ST

ISL9N310AD3ST Hakkında

ISL9N310AD3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 35A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 10Ω on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve ±20V maksimum gate-source geriliminde stabil performans gösterir. 70W güç dissipasyonu kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında yer alır. Hızlı anahtarlama karakteristiği (48nC maksimum gate charge) sayesinde verimli işletim mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 35A, 10A
Supplier Device Package TO-252-3 (DPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok