Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISL9N310AD3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
ISL9N310AD3

ISL9N310AD3 Hakkında

ISL9N310AD3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 10 Ohm maksimum on-resistance değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, gömülü sistemler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 70W güç tüketimi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 35A, 10A
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok