Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISL9N308AP3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
ISL9N308AP3

ISL9N308AP3 Hakkında

ISL9N308AP3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET'tir. 75A sürekli drain akımı ve 30V drain-source gerilim desteği ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken elemanıdır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 8Ohm maksimum on-direnci (Rds(on)) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, dc-dc dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Gate charge 68nC ve input capacitance 2600pF özellikleri, hızlı anahtarlama işlemlerini mümkün kılar. ±20V gate gerilim aralığında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok