Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N308AD3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N308AD3
ISL9N308AD3 Hakkında
ISL9N308AD3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltajında 50A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 8mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sunmaktadır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve maksimum 100W güç tüketimi capable olan bu MOSFET, yüksek hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. Düşük gate charge değeri (68nC) ile hızlı sürülme özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok