Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N306AS3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N306AS
ISL9N306AS3ST Hakkında
ISL9N306AS3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ile 75A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 6mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan ISL9N306AS3ST, güç kontrol uygulamalarında, motor sürücü devreleri, anahtarlama kaynakları ve elektrik dönüştürücülerde kullanılır. 125W güç yayılımı kapasitesi ile -55°C ile 175°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama ve düşük iletim kayıpları gerektiren uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok