Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N306AD3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N306A
ISL9N306AD3ST Hakkında
ISL9N306AD3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V Drain-Source voltaj desteği ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 6mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kaçış kaybı sağlar. 125W güç saçılım kapasitesi ile güç inverter, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok