Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N306AD3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N306AD3
ISL9N306AD3 Hakkında
ISL9N306AD3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ile 50A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük 6mOhm on-resistance değeri sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışmaktadır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve endüstriyel switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 125W maximum güç dissipasyonu ile yüksek akım uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok