Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISL9N304AS3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
ISL9N304

ISL9N304AS3ST Hakkında

ISL9N304AS3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltajı ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ on-resistance (RDS on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263 D²Pak yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 145W güç yayabilir. 10V gate sürüş voltajında minimum 3V eşik gerilimi ile hızlı açılış ve kapanış performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4075 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 145W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok