Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N302AS3ST
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N302AS3ST
ISL9N302AS3ST Hakkında
ISL9N302AS3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sağlanan bileşen, 2.3mΩ RDS(on) değerine sahiptir. Düşük on-dirençi sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. Motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışır ve 345W maksimum güç dağıtabilir. Transistör kontrol devreleri ile kolayca kullanılabilen 10V gate sürüş voltajıyla optimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 345W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok