Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N302AS3
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N302AS
ISL9N302AS3 Hakkında
ISL9N302AS3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source geriliminde 75A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-262AA (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 2.3mOhm on-state direnci ile güç uygulamalarında kullanılır. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışır ve 4.5V/10V drive voltajında optimize edilmiştir. Güç dönüştürücü devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akım gereksinimli endüstriyel tasarımlarda yaygın olarak uygulanır. 345W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle kompakt ve verimli çözümler sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 345W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok