Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISL9N302AP3

MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
ISL9N302A

ISL9N302AP3 Hakkında

ISL9N302AP3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 75A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.5mΩ düşük on-dirençi (Rds On) sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paket tipi ile yüksek ısı dağılımı sağlayan thermal mounting uygulamalarına uygundur. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 345W güç dağılım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 345W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok