Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISL9N2357D3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISL9N2357D3ST
ISL9N2357D3ST Hakkında
ISL9N2357D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilimi ile 35A sürekli dren akımına kapaklı bu transistör, 7mOhm (10V, 35A koşullarında) düşük on-resistance değerine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 100W maksimum güç tüketimi ve 258nC gate charge karakteristiğiyle, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve yük anahtarlamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilebilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 258 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok