Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC230N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-9
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC230N10NM6
ISC230N10NM6ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISC230N10NM6ATMA1, 100V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 7.7A sürekli (Ta) ve 31A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. On-state저항 (Rds On) değeri 23mOhm olup, 10A-10V koşullarında ölçülmüştür. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama yelpazesine sahip olan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. PG-TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta), 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok