Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC080N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC080N10NM6ATMA1
ISC080N10NM6ATMA1 Hakkında
ISC080N10NM6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj desteği ile orta-yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 13A sürekli drenaj akımı ve 8.05mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde etkili bir seçimdir. PG-TDSON-8 paket tipi ile kompakt tasarımlar için uygun olan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC konvertörleri gibi anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.05mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok