Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC0806NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC0806NLSATMA1
ISC0806NLSATMA1 Hakkında
ISC0806NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Trench teknolojisi ile tasarlanan cihaz, 5.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlar. PG-TDSON-8 yüzey montaj paketiyle sunulan transistör, motor kontrol, DC-DC konverterleri, güç kaynakları ve anahtarlı regülatör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 97A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 61µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok